IXKC25N80C【PDF 2/4 页】MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220

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IXKC 25N80C

Source-Drain Diode

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T VJ = 25°C, unless otherwise speci?ed)

min.

typ.

max.

I S

V GS = 0 V

34

A

V SD

t rr

Q RM

I RM

I F = 35 A; V GS = 0 V

I F = 35 A; -di F /dt = 200 A/μs; V R = 400 V

1.0

550

30

100

1.2

V

ns

μC

A

Component

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

T VJ

T stg

V ISOL

F C

operating

RMS, lead-to-tab, 50/60 Hz, f = 1 minute

mounting force

-55...+150

-55...+150

2500

11-65/2.4-11

°C

°C

V~

N/lb.

Symbol

Conditions

Characteristic Values

min.

typ.

max.

R thCH

Weight

with heatsink compound

0.15

2.7

K/W

g

ISOPLUS220 TM Outline

E

A

SYM

INCHES

MIN

MAX

MILLIMETERS

MIN MAX

A

A2

b

b2

b4

.157

.098

.035

.049

.093

.197

.118

.051

.065

.100

4.00

2.50

0.90

1.25

2.35

5.00

3.00

1.30

1.65

2.55

2X b4

* Note 1

c

D

D1

E

E1

.028

.591

.472

.394

.295

.039

.630

.512

.433

.335

0.70

15.00

12.00

10.00

7.50

1.00

16.00

13.00

11.00

8.50

e

.100 BASIC

2.55 BASIC

1

2

3

L

L1

T

NOTE:

.512

.118

.571

.138

13.00

3.00

42.5

14.50

3.50

47.5

1. Bottom heatsink is electrically isolated from Pin 1, 2, or 3.

2X e

3X b

c

A2

2X b2

2. This drawing will meet dimensional requirement of JEDEC SS

Product Outline TO-273 except D and D1 dimension.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

? 2008 IXYS All rights reserved

20080526a

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IXKH24N60C5 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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